三星重启 SiC 代工业务：瞄准 2028 量产，押注下一代功率半导体

发生了什么

5 月 3 日，多条行业消息确认：三星电子已重启碳化硅（Silicon Carbide, SiC）代工业务，目标在 2028 年实现量产。SiC 正被业界广泛视为下一代功率半导体的核心材料。

与此同时，荷兰半导体设备商 BESI 透露，三星预计在今年年中做出混合键合（Hybrid Bonding）技术的导入决策——这项技术被认为是下一代半导体生产的核心工艺。

两条消息叠加，勾勒出三星在功率半导体和先进封装两条战线上的战略布局。

碳化硅（SiC）相比传统硅（Si）材料，在功率半导体领域有显著优势：

特性	Si（硅）	SiC（碳化硅）	优势
击穿电场	低	高 10 倍	更高耐压
热导率	低	高 3 倍	更好散热
开关损耗	高	低 75%	更高效
工作温度	<150°C	>200°C	更宽范围

三星此次选择的是代工（Foundry）模式，而非自己生产终端器件。这意味着三星要为其他芯片设计公司制造 SiC 功率器件，类似于其在逻辑芯片领域的代工业务。

目标客户群包括：

BESI 透露的混合键合技术决策同样值得关注。混合键合是一种先进封装技术，可以将两个芯片以纳米级精度直接键合在一起，无需传统的焊球或引线。

对 AI 芯片的意义：混合键合是突破 HBM（高带宽内存）带宽瓶颈的关键技术之一。三星如果在今年中决定导入混合键合，将直接影响其 HBM4 和后续产品的竞争力。

SiC 代工领域的主要玩家：

三星的优势在于其庞大的代工基础设施和制造经验，但劣势是 SiC 领域的技术积累相对薄弱。